Hersteller Produktnummer:
G2012
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G2012-DG
Beschreibung:
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventar:
2994 Stück Neu Original Auf Lager
13000377
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
G2012 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1255 pF @ 10 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-DFN (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3141-G2012DKR
4822-G2012TR
3141-G2012TR
3141-G2012CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMP4065SK3-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
GC11N65M
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
SQJA72EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
