SQJA72EP-T1_BE3
Hersteller Produktnummer:

SQJA72EP-T1_BE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SQJA72EP-T1_BE3-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 37A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

13000380
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

SQJA72EP-T1_BE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1390 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
55W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SQJA72EP-T1_BE3CT
742-SQJA72EP-T1_BE3DKR
742-SQJA72EP-T1_BE3TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SQJA72EP-T1_GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2990
TEILNUMMER
SQJA72EP-T1_GE3-DG
Einheitspreis
0.52
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
goford-semiconductor

G2012

MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L

vishay-siliconix

SIHD14N60ET1-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

IRFR9210PBF-BE3

P-CHANNEL 200V

goford-semiconductor

G10N03S

MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8