Hersteller Produktnummer:
G04P10HE
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G04P10HE-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 4A (Tc) 1.2W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
20000 Stück Neu Original Auf Lager
13001634
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G04P10HE Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.8V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
4822-G04P10HETR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
