SISHA18ADN-T1-GE3
Hersteller Produktnummer:

SISHA18ADN-T1-GE3

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

SISHA18ADN-T1-GE3-DG

Beschreibung:

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 22A (Ta), 60A (Tc) 3.5W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH

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SISHA18ADN-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1650 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer
PowerPAK® 1212-8SH

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SISHA18ADN-T1-GE3DKR
742-SISHA18ADN-T1-GE3TR
742-SISHA18ADN-T1-GE3CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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