Hersteller Produktnummer:
G3R12MT12K
Product Overview
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Teilenummer:
G3R12MT12K-DG
Beschreibung:
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
611 Stück Neu Original Auf Lager
13000424
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G3R12MT12K Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
157A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 100A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 50mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
288 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9335 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
567W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Basis-Produktnummer
G3R12M
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
1242-G3R12MT12K
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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