Hersteller Produktnummer:
DMN10H220LFVW-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN10H220LFVW-7-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 11A (Tc) 2.4W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Inventar:
13000430
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DMN10H220LFVW-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
222mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
366 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMN10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
31-DMN10H220LFVW-7TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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