Hersteller Produktnummer:
FDS6162N7
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDS6162N7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
15029 Stück Neu Original Auf Lager
12816873
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FDS6162N7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5521 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
150
Andere Namen
2156-FDS6162N7-FSTR-DG
FAIFSCFDS6162N7
2156-FDS6162N7
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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