Hersteller Produktnummer:
IRFR120
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
IRFR120-DG
Beschreibung:
8.4A, 100V, 0.27OHM, N-CHANNEL M
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
990 Stück Neu Original Auf Lager
12996604
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IRFR120 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
666
Andere Namen
2156-IRFR120-600039
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Vendor Undefined
REACH-Status
REACH Affected
DIGI-Zertifizierung
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