Hersteller Produktnummer:
SCTWA70N120G2V-4
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
SCTWA70N120G2V-4-DG
Beschreibung:
DISCRETE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 91A (Tc) 547W Through Hole TO-247-4
Inventar:
12996620
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
SCTWA70N120G2V-4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
91A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
4.9V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3540 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
547W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Basis-Produktnummer
SCTWA70
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
600
Andere Namen
497-SCTWA70N120G2V-4
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SJ646-TL-E
2SJ646 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
PMK50XP,518
NEXPERIA PMK50XP - 7.9A, 20V, 0.
IPD42DP15LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3
