Hersteller Produktnummer:
FCU850N80Z
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCU850N80Z-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
1000 Stück Neu Original Auf Lager
12946447
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FCU850N80Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 600µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1315 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
257
Andere Namen
ONSONSFCU850N80Z
2156-FCU850N80Z
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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