FQPF7N80C
Hersteller Produktnummer:

FQPF7N80C

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FQPF7N80C-DG

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventar:

1000 Stück Neu Original Auf Lager
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FQPF7N80C Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1680 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
56W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FQPF7N80C Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
249
Andere Namen
ONSONSFQPF7N80C
2156-FQPF7N80C

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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