FQP6N60C
Hersteller Produktnummer:

FQP6N60C

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FQP6N60C-DG

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

20356 Stück Neu Original Auf Lager
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FQP6N60C Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
353
Andere Namen
2156-FQP6N60C
FAIFSCFQP6N60C

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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