FDC653N
Hersteller Produktnummer:

FDC653N

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDC653N-DG

Beschreibung:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Inventar:

2505 Stück Neu Original Auf Lager
12946642
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FDC653N Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-6
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,192
Andere Namen
FAIFSCFDC653N
2156-FDC653N

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
fairchild-semiconductor

FDPF12N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8444

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8447L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

stmicroelectronics

STD80N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK