Hersteller Produktnummer:
FQP14N30
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQP14N30-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 300 V 14.4A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
11261 Stück Neu Original Auf Lager
12946600
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FQP14N30 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
300 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1360 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
147W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
294
Andere Namen
2156-FQP14N30
FAIFSCFQP14N30
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FQN1N60CTA
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF6724MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
FDPF5N50NZF
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
