Hersteller Produktnummer:
FQN1N60CTA
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQN1N60CTA-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
80002 Stück Neu Original Auf Lager
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FQN1N60CTA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
300mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta), 3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,461
Andere Namen
2156-FQN1N60CTA
FAIFSCFQN1N60CTA
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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