Hersteller Produktnummer:
FQI9N25CTU
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQI9N25CTU-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 3.13W (Ta), 74W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
2000 Stück Neu Original Auf Lager
13075967
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FQI9N25CTU Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Tube
Reihe
QFET®
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
710 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.13W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
247
Andere Namen
2156-FQI9N25CTU-FS
FAIFSCFQI9N25CTU
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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