Hersteller Produktnummer:
HUF75623P3
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
HUF75623P3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 22A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
4436 Stück Neu Original Auf Lager
13076023
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
HUF75623P3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Tube
Reihe
UltraFET™
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
790 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
579
Andere Namen
FAIFSCHUF75623P3
2156-HUF75623P3-FS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDS6299S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
NP80N04NDG-S18-AY
MOSFET N-CH 40V 80A TO262
HUFA76609D3ST
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA