Hersteller Produktnummer:
FDS6294
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDS6294-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
27048 Stück Neu Original Auf Lager
12946190
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
GY65
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDS6294 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1205 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
FDS62
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
618
Andere Namen
2156-FDS6294
ONSFSCFDS6294
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
AUIRFU8401
MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
FCP9N60N
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
FDMC0202S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR