Hersteller Produktnummer:
FCP9N60N
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCP9N60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
33480 Stück Neu Original Auf Lager
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FCP9N60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SuperMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
179
Andere Namen
FAIFSCFCP9N60N
2156-FCP9N60N
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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