Hersteller Produktnummer:
FQAF17P10
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQAF17P10-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 12.4A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventar:
2972 Stück Neu Original Auf Lager
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FQAF17P10 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Tube
Reihe
QFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
56W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3PF
Paket / Koffer
TO-3P-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
307
Andere Namen
2156-FQAF17P10-FS
FAIFSCFQAF17P10
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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