FDMC8327L
Hersteller Produktnummer:

FDMC8327L

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDMC8327L-DG

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 12A (Ta), 14A (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventar:

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FDMC8327L Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1850 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.3W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
603
Andere Namen
2156-FDMC8327L
ONSFSCFDMC8327L

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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