Hersteller Produktnummer:
FDD6612A
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDD6612A-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
262253 Stück Neu Original Auf Lager
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FDD6612A Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.5A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
660 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
598
Andere Namen
2156-FDD6612A
FAIFSCFDD6612A
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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