FDFMA2P853
Hersteller Produktnummer:

FDFMA2P853

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDFMA2P853-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Inventar:

22471 Stück Neu Original Auf Lager
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FDFMA2P853 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
435 pF @ 10 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-MicroFET (2x2)
Paket / Koffer
6-VDFN Exposed Pad

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FDFMA2P853 Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
825
Andere Namen
2156-FDFMA2P853
ONSONSFDFMA2P853

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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