Hersteller Produktnummer:
FQP3N80C
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQP3N80C-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
53553 Stück Neu Original Auf Lager
12946802
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FQP3N80C Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
705 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
107W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
401
Andere Namen
2156-FQP3N80C
FAIFSCFQP3N80C
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDB86102LZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FQA27N25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDS8672S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
