Hersteller Produktnummer:
FDB8896
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDB8896-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
15952 Stück Neu Original Auf Lager
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FDB8896 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta), 93A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2525 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
330
Andere Namen
ONSFSCFDB8896
2156-FDB8896
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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