Hersteller Produktnummer:
FQPF19N20
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQPF19N20-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 11.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventar:
15905 Stück Neu Original Auf Lager
12947177
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FQPF19N20 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
279
Andere Namen
2156-FQPF19N20
ONSONSFQPF19N20
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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