Hersteller Produktnummer:
STH110N10F7-6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STH110N10F7-6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Inventar:
12946455
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STH110N10F7-6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
DeepGATE™, STripFET™ VII
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5117 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK-6
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Basis-Produktnummer
STH110
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
-497-13837-1
-497-13837-2
497-13837-6
497-13837-2
-497-13837-6
497-13837-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SUM70040M-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
799
TEILNUMMER
SUM70040M-GE3-DG
Einheitspreis
1.29
ERSATZART
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