Hersteller Produktnummer:
FQPF8N90C
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQPF8N90C-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
2796 Stück Neu Original Auf Lager
12946480
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
Zjpk
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FQPF8N90C Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2080 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
FQPF8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
237
Andere Namen
2156-FQPF8N90C
ONSFSCFQPF8N90C
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FQPF2N70
MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
FCPF9N60NT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
IRF6668TRPBF
IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
