Hersteller Produktnummer:
FCU2250N80Z
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCU2250N80Z-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
94795 Stück Neu Original Auf Lager
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FCU2250N80Z Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 260µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
585 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
39W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
385
Andere Namen
2156-FCU2250N80Z
FAIFSCFCU2250N80Z
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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