FCPF1300N80ZYD
Hersteller Produktnummer:

FCPF1300N80ZYD

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FCPF1300N80ZYD-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Inventar:

750 Stück Neu Original Auf Lager
12946901
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
yhny
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

FCPF1300N80ZYD Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SuperFET® II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 400µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
880 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
24W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F-3 (Y-Forming)
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
280
Andere Namen
2156-FCPF1300N80ZYD
ONSONSFCPF1300N80ZYD

Umwelt- und Exportklassifizierung

ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
international-rectifier

IRFS4115TRL7PP

IRFS4115 - 12V-300V N-CHANNEL PO

fairchild-semiconductor

FDS8878

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDFMA3P029Z

MOSFET P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

fairchild-semiconductor

FDS6298

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1