Hersteller Produktnummer:
FDS8878
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDS8878-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
570614 Stück Neu Original Auf Lager
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FDS8878 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
897 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,389
Andere Namen
2156-FDS8878
FAIFSCFDS8878
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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