Hersteller Produktnummer:
FCP11N60N
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FCP11N60N-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
1700 Stück Neu Original Auf Lager
12946050
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FCP11N60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
SupreMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1505 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
94W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
173
Andere Namen
2156-FCP11N60N
FAIFSCFCP11N60N
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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