Hersteller Produktnummer:
BUK965R4-40E,118
Product Overview
Hersteller:
NXP USA Inc.
Teilenummer:
BUK965R4-40E,118-DG
Beschreibung:
TRANSISTOR >30MHZ
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 75A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
1449 Stück Neu Original Auf Lager
12946310
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BUK965R4-40E,118 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
NXP Semiconductors
Verpackung
Bulk
Reihe
TrenchMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33.9 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4483 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
137W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
442
Andere Namen
NEXNXPBUK965R4-40E,118
2156-BUK965R4-40E,118
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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