Hersteller Produktnummer:
FBG20N18BC
Product Overview
Hersteller:
EPC Space, LLC
Teilenummer:
FBG20N18BC-DG
Beschreibung:
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 18A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventar:
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12997386
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FBG20N18BC Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
EPC Space
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 18A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-SMD
Paket / Koffer
4-SMD, No Lead
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
154
Andere Namen
4107-FBG20N18BC
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
ECCN (Englisch)
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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