Hersteller Produktnummer:
PJP12NA60_T0_00001
Product Overview
Hersteller:
Panjit International Inc.
Teilenummer:
PJP12NA60_T0_00001-DG
Beschreibung:
600V N-CHANNEL MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 225W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12997396
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PJP12NA60_T0_00001 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1492 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
225W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
PJP12
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
3757-PJP12NA60_T0_00001CT-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001TR
3757-PJP12NA60_T0_00001TR-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001
3757-PJP12NA60_T0_00001CT
3757-PJP12NA60_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJP12NA60_T0_00001CTINACTIVE
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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