Hersteller Produktnummer:
FBG04N08ASH
Product Overview
Hersteller:
EPC Space, LLC
Teilenummer:
FBG04N08ASH-DG
Beschreibung:
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 8A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventar:
13002562
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Menge
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FBG04N08ASH Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
EPC Space
Verpackung
Bulk
Reihe
e-GaN®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
312 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
4-SMD
Paket / Koffer
4-SMD, No Lead
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
4107-FBG04N08ASH
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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