Hersteller Produktnummer:
IMYH200R100M1HXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMYH200R100M1HXKSA1-DG
Beschreibung:
SIC DISCRETE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 2000 V 26A (Tc) 217W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U04
Inventar:
13002564
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IMYH200R100M1HXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
2000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
131mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+20V, -7V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
217W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-4-U04
Paket / Koffer
TO-247-4
Basis-Produktnummer
IMYH200
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
240
Andere Namen
SP005427376
448-IMYH200R100M1HXKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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