EPC7018GSH
Hersteller Produktnummer:

EPC7018GSH

Product Overview

Hersteller:

EPC Space, LLC

Teilenummer:

EPC7018GSH-DG

Beschreibung:

GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 80A (Tc) Surface Mount 5-SMD

Inventar:

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EPC7018GSH Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
EPC Space
Verpackung
Bulk
Reihe
eGaN®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 40A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 12mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.7 nC @ 5 V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1240 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
5-SMD
Paket / Koffer
5-SMD, No Lead

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
4107-EPC7018GSH

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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