Hersteller Produktnummer:
G3R350MT12J-TR
Product Overview
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Teilenummer:
G3R350MT12J-TR-DG
Beschreibung:
1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 10A (Tc) 64W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventar:
800 Stück Neu Original Auf Lager
13239965
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G3R350MT12J-TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
G3R™, LoRing™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
395mOhm @ 4A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
2.7V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
331 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
64W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-7
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
1242-G3R350MT12J-TR
1242-G3R350MT12J-TRCT
1242-G3R350MT12J-TRDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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