ZXMN6A09GQTA
Hersteller Produktnummer:

ZXMN6A09GQTA

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

ZXMN6A09GQTA-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 5.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Inventar:

1647 Stück Neu Original Auf Lager
13270093
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

ZXMN6A09GQTA Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1407 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-3
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
ZXMN6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
31-ZXMN6A09GQTATR
31-ZXMN6A09GQTACT
31-ZXMN6A09GQTADKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
diodes

DMN2120UFCL-7

MOSFET N-CH 20V 1.8A 6UDFN

diodes

DMT12H090LFDF4-7

MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN

diodes

DMT67M8LCG-7

MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN

diodes

DMT6017LFDF-7

MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN