DMT12H090LFDF4-7
Hersteller Produktnummer:

DMT12H090LFDF4-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMT12H090LFDF4-7-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 115 V 3.4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount X2-DFN2020-6

Inventar:

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DMT12H090LFDF4-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
115 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
251 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
900mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X2-DFN2020-6
Paket / Koffer
6-PowerXDFN
Basis-Produktnummer
DMT12

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMT12H090LFDF4-7
HTML-Datenblatt
DMT12H090LFDF4-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMT12H090LFDF4-7TR
31-DMT12H090LFDF4-7CT
31-DMT12H090LFDF4-7DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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