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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
ZXMHC10A07T8TA
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZXMHC10A07T8TA-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
Inventar:
1000 Stück Neu Original Auf Lager
12904329
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ZXMHC10A07T8TA Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A, 800mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Leistung - Max
1.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-223-8
Gerätepaket für Lieferanten
SM8
Basis-Produktnummer
ZXMHC10
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
ZXMHC10A07T8TA
HTML-Datenblatt
ZXMHC10A07T8TA-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
ZXMHC10A07T8DKR
ZXMHC10A07T8CT-NDR
ZXMHC10A07T8TR-DG
ZXMHC10A07T8CT
31-ZXMHC10A07T8TADKR
1034-ZXMHC10A07T8TR
1034-ZXMHC10A07T8DKR
31-ZXMHC10A07T8TATR
ZXMHC10A07T8DKR-DG
1034-ZXMHC10A07T8CT
ZXMHC10A07T8CT-DG
31-ZXMHC10A07T8TACT
ZXMHC10A07T8TR
ZXMHC10A07T8TR-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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