ZXMHC10A07T8TA
Hersteller Produktnummer:

ZXMHC10A07T8TA

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

ZXMHC10A07T8TA-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8

Inventar:

1000 Stück Neu Original Auf Lager
12904329
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

ZXMHC10A07T8TA Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1A, 800mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
138pF @ 60V, 141pF @ 50V
Leistung - Max
1.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-223-8
Gerätepaket für Lieferanten
SM8
Basis-Produktnummer
ZXMHC10

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
ZXMHC10A07T8DKR
ZXMHC10A07T8CT-NDR
ZXMHC10A07T8TR-DG
ZXMHC10A07T8CT
31-ZXMHC10A07T8TADKR
1034-ZXMHC10A07T8TR
1034-ZXMHC10A07T8DKR
31-ZXMHC10A07T8TATR
ZXMHC10A07T8DKR-DG
1034-ZXMHC10A07T8CT
ZXMHC10A07T8CT-DG
31-ZXMHC10A07T8TACT
ZXMHC10A07T8TR
ZXMHC10A07T8TR-NDR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
diodes

DMN63D1LV-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.55A SOT563

diodes

ZXMN3A06DN8TA

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO

diodes

ZXMC3A18DN8TA

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.8A 8SO

diodes

ZXMN2088DE6TA

MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT23-6