Hersteller Produktnummer:
ZX5T851GQTC
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
ZX5T851GQTC-DG
Beschreibung:
PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT223 T&
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 130MHz 1.2 W Surface Mount SOT-223-3
Inventar:
3956 Stück Neu Original Auf Lager
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ZX5T851GQTC Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
260mV @ 300mA, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
20nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 1V
Leistung - Max
1.2 W
Frequenz - Übergang
130MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
31-ZX5T851GQTCTR
31-ZX5T851GQTCCT
31-ZX5T851GQTCDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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