Hersteller Produktnummer:
DXTN5860DFDB-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DXTN5860DFDB-7-DG
Beschreibung:
SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 115MHz 690 mW Surface Mount U-DFN2020-3 (Type B)
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
12978846
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EINREICHEN
DXTN5860DFDB-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
315mV @ 300mA, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
280 @ 500mA, 2V
Leistung - Max
690 mW
Frequenz - Übergang
115MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-3 (Type B)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DXTN5860DFDB-7CT
31-DXTN5860DFDB-7DKR
31-DXTN5860DFDB-7TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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