UMC5N-7
Hersteller Produktnummer:

UMC5N-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

UMC5N-7-DG

Beschreibung:

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353

Inventar:

6000 Stück Neu Original Auf Lager
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UMC5N-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
47kOhms, 4.7kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms, 10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-353
Basis-Produktnummer
UMC5

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
UMC5N-7
HTML-Datenblatt
UMC5N-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
UMC5N-7DICT
UMC5N-7DIDKR
UMC5N-7DITR
-UMC5N-7DIDKR
-UMC5N-7DICT
-UMC5N-7DITR
UMC5N-7-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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