Hersteller Produktnummer:
EMF21-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
EMF21-7-DG
Beschreibung:
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 280MHz 300mW Surface Mount SOT-563
Inventar:
12887512
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Menge
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EINREICHEN
EMF21-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA, 500mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V, 12V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz, 280MHz
Leistung - Max
300mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
EMF21
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
EMF21-7-DG
EMF21DIDKR
EMF21DITR
EMF217
EMF21DICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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