Hersteller Produktnummer:
FMMT411FDBWQ-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
FMMT411FDBWQ-7-DG
Beschreibung:
AVALANCHE TRANSISTOR W-DFN2020-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 15 V 5 A 110MHz 820 mW Surface Mount W-DFN2020-3 (Type A)
Inventar:
2647 Stück Neu Original Auf Lager
13001615
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EINREICHEN
FMMT411FDBWQ-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Avalanche Mode
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
15 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
100mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 10V
Leistung - Max
820 mW
Frequenz - Übergang
110MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
3-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
W-DFN2020-3 (Type A)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-FMMT411FDBWQ-7TR
31-FMMT411FDBWQ-7CT
31-FMMT411FDBWQ-7DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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