MMBT3904
Hersteller Produktnummer:

MMBT3904

Product Overview

Hersteller:

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Teilenummer:

MMBT3904-DG

Beschreibung:

200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 250MHz 300 mW Surface Mount SOT-23

Inventar:

13001736
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Menge
Mindestens 1
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MMBT3904 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Anbon Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
200 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
40 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Leistung - Max
300 mW
Frequenz - Übergang
250MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23
Basis-Produktnummer
MMBT390

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
4530-MMBT3904CT
4530-MMBT3904TR
4530-MMBT3904DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
MMBT3904 RFG
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
11404
TEILNUMMER
MMBT3904 RFG-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
MMBT3904L RFG
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
193575
TEILNUMMER
MMBT3904L RFG-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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