Hersteller Produktnummer:
DMWS120H100SM4
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMWS120H100SM4-DG
Beschreibung:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 37.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
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13001177
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DMWS120H100SM4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
37.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1516 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Basis-Produktnummer
DMWS120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
31-DMWS120H100SM4
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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TRENCH >=100V PG-TO247-3
