Hersteller Produktnummer:
IRFP4668PBFXKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFP4668PBFXKMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH >=100V PG-TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC
Inventar:
396 Stück Neu Original Auf Lager
13001213
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IRFP4668PBFXKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 81A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
241 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10720 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
520W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
SP005732696
448-IRFP4668PBFXKMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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